Infineon Half Bridge HybridPACK N channel-Channel MOSFET Modules, 620 A, 750 V Enhancement, 30-Pin PG-TSON-12

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB79,378.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB84,934.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB79,378.37

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
762-980
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS01MR08A8MA2CHPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET Modules

Maximum Continuous Drain Current Id

620A

Maximum Drain Source Voltage Vds

750V

Package Type

PG-TSON-12

Series

HybridPACK

Mount Type

Screw

Pin Count

30

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5μC

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Forward Voltage Vf

6.73V

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon HybridPACK Drive G2 module utilizes silicon carbide (SiC) MOSFETs, offering a maximum voltage of 750 V and a nominal current of 620 A. Its design features low on-resistance, minimal switching losses, and a robust insulation capability of 4.25 kV. Engineered for high performance, it maintains operational temperatures up to 200°C.

Compact design

High power density

Direct-cooled PinFin base plate

Integrated temperature sensing diode

PressFIT contact technology

RoHS compliant, lead-free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง