Vishay TrenchFET Type N, Type P-Channel MOSFET, 7.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4532CEY-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 736-653
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB20.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB22.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB20.79 |
| 25 - 99 | THB13.86 |
| 100 + | THB6.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-653
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.19Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.19Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ211ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ147ELP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N 30 A 8-Pin SO-8 SQJ504EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA70CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA12CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS486CENW-T1_GE3
