Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR668DP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 134-9725
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR668DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB168.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB179.964
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 7,358 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | THB84.095 | THB168.19 |
| 750 - 1498 | THB81.995 | THB163.99 |
| 1500 + | THB80.725 | THB161.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 134-9725
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR668DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.25mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 65A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.25mm | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7454FDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR580DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA90DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR570DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR880BDP-T1-RE3