Vishay SQ2318CES N channel-Channel MOSFET, 7 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23-3 SQ2318CES-T1_BE3
- RS Stock No.:
- 735-119
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2318CES-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB13.37
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB13.37 |
| 25 - 99 | THB8.91 |
| 100 + | THB4.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-119
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2318CES-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SOT-23-3 | |
| Series | SQ2318CES | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.031Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 2.36mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.01mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SOT-23-3 | ||
Series SQ2318CES | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.031Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 2.36mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.01mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay MOSFET offers efficient power management for high-performance applications, capable of withstanding a drain-source voltage of up to 40V while ensuring reliable operation at elevated temperatures up to 175 °C.
Single Pulse avalanche current rating of 13A
Compact SOT-23 package minimises PCB space
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ2308FES N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23-3 SQ2308FES-T1_BE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3
- Vishay SQ2337CES P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23-3 SQ2337CES-T1_BE3
- DiodesZetex DMN65D8L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-E3
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
