STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB28.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 796 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 06 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB28.71
25 - 99THB25.74
100 - 499THB22.77
500 - 999THB18.32
1000 +THB17.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-658
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STP100N8F6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-220

Series

STP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.75mm

Height

4.6mm

Width

10.4 mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

Very low on-resistance

Very low gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power loss