STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6
- RS Stock No.:
- 719-658
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP100N8F6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB32.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB35.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 635 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB32.79 |
| 25 - 99 | THB29.39 |
| 100 - 499 | THB26.00 |
| 500 - 999 | THB20.92 |
| 1000 + | THB20.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-658
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP100N8F6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | STP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.009Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 4.6mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series STP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.009Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.75mm | ||
Height 4.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 2-Pin TO-252 STD70N10F4
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N240K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65N045M9
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60N043DM9
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N900K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6