STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 2-Pin TO-252 STD70N10F4
- RS Stock No.:
- 719-650
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD70N10F4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB35.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38.47
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 257 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB35.95 |
| 25 - 99 | THB32.13 |
| 100 - 499 | THB28.86 |
| 500 - 999 | THB22.87 |
| 1000 + | THB22.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-650
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD70N10F4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | STP | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0195Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.2mm | |
| Height | 2.4mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series STP | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0195Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.2mm | ||
Height 2.4mm | ||
The STMicroelectronics STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to minimize on-state resistance, with a new gate structure, providing superior switching performance.
Exceptional dv/dt capability
Extremely low on-resistance RDS(on)
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6
- STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5
- STMicroelectronics STP25 N channel-Channel Power MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP25N018M9
- STMicroelectronics Stl N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL140N4LF8
