STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

RS Stock No.:: 719-652
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STH345N6F7-2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STH N channel-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB175.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB187.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB175.26
10 - 24	THB154.46
25 - 99	THB138.62
100 - 499	THB119.31
500 +	THB110.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	N channel
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	397A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	STH
	Package Type	H2PAK-2
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	2
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	230nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	341W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	10.4 mm
	Length	9.3mm
	Height	4.7mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type N channel
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 397A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series STH
	Package Type H2PAK-2
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 2
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 230nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 341W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 10.4 mm
	Length 9.3mm
	Height 4.7mm