STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

RS Stock No.:: 201-4415
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT20N120H
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB471,903.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB504,936.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB471.903	THB471,903.00
2000 - 3000	THB461.644	THB461,644.00
4000 +	THB451.386	THB451,386.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 201-4415
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT20N120H
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	SiC MOSFET
	Package Type	H2PAK-2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	203mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	10.4mm
	Length	15.8mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series SiC MOSFET
	Package Type H2PAK-2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 203mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.7 mm
	Standards/Approvals No
	Height 10.4mm
	Length 15.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT20N120H

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง