STMicroelectronics SiC MOSFET N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2
- RS Stock No.:
- 201-4415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT20N120H
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB471,903.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB504,936.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB471.903 | THB471,903.00 |
| 2000 - 3000 | THB461.644 | THB461,644.00 |
| 4000 + | THB451.386 | THB451,386.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 201-4415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT20N120H
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | H2PAK-2 | |
| Series | SiC MOSFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 203mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.8mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type H2PAK-2 | ||
Series SiC MOSFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 203mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.8mm | ||
Width 4.7mm | ||
Height 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H
- STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF16N90K5
- STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH2N120K5-2AG
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH13N120K5-2AG
- STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Type N-Channel 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7
- STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2