STMicroelectronics STP25 N-Channel Power MOSFET, 56 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP25N018M9
- RS Stock No.:
- 711-524
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP25N018M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB184.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB197.21
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB184.31 |
| 10 - 24 | THB162.22 |
| 25 - 99 | THB145.48 |
| 100 - 499 | THB118.05 |
| 500 + | THB114.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 711-524
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP25N018M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 56A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STP25 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.6mm | |
| Width | 10.4mm | |
| Length | 15.75mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 56A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STP25 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.6mm | ||
Width 10.4mm | ||
Length 15.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Very low FOM (RDS(on)·Qg)
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Sct N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics STB Series N-Channel MOSFET 250 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 STB25N018M9
- STMicroelectronics SuperMESH N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP12NK80Z
- STMicroelectronics SuperMESH N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NK50Z
- STMicroelectronics FDmesh N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NM60ND
- STMicroelectronics STP N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP310N10F7
- Vishay IRFI730G N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI730GPBF