ROHM AG191FLD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG191FLD3HRBTL

RS Stock No.:: 687-454
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG191FLD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM AG191FLD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG191FLD3HRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB84.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB90.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB42.33	THB84.66
20 - 48	THB37.38	THB74.76
50 - 198	THB33.42	THB66.84
200 - 998	THB26.98	THB53.96
1000 +	THB26.485	THB52.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-454
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG191FLD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	AG191FLD3HRB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	76W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.50mm
	Standards/Approvals	RoHS, AEC-Q101
	Width	6.80 mm
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series AG191FLD3HRB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 76W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.50mm
	Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101
	Width 6.80 mm
	Height 2.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AG191FLD3HRBTL

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance applications, providing exceptional efficiency with a maximum Drain-Source voltage of 60V and a continuous drain current of 80A. Designed for demanding automotive systems, this device features low on-resistance, ensuring reduced power loss and enhanced thermal management. Its robust construction includes AEC-Q101 qualification, making it suitable for use in rigorous automotive environments. With a multidimensional thermal resistance capability, this MOSFET effectively handles thermal stress, ensuring reliability under varying operational conditions. Ideal for engineers seeking a reliable component in high-efficiency applications, the AG191FLD3HRB stands out for its performance and operational integrity.

Low on resistance offers improved efficiency and reduces heat generation

Pb free plating conforms to RoHS standards for environmental safety

100% avalanche testing guarantees reliable performance under stress

AEC Q101 qualified, ensuring compliance with automotive industry standards

Supports a wide operating junction and storage temperature range from -55°C to 175°C

Flexible packaging specifications with tape and reel format for convenience in assembly

Integrated thermal resistance minimizes thermal concerns during operation

Supplied with precise gate charge characteristics for optimal switching performance

ROHM AG191FLD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG191FLD3HRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง