ROHM AG086FGD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG086FGD3HRBTL

RS Stock No.:: 687-456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG086FGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM AG086FGD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG086FGD3HRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB83.67

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB89.526

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB41.835	THB83.67
20 - 48	THB36.885	THB73.77
50 - 198	THB33.17	THB66.34
200 - 998	THB26.735	THB53.47
1000 +	THB25.99	THB51.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG086FGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Channel Type	Type N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	AG086FGD3HRB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Power Dissipation Pd	76W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Width	6.80 mm
	Length	10.50mm
	Standards/Approvals	RoHS, AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Channel Type Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series AG086FGD3HRB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Power Dissipation Pd 76W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Width 6.80 mm
	Length 10.50mm
	Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AG086FGD3HRBTL

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance applications, featuring a robust construction that ensures reliability and efficiency. With a maximum drain-source voltage of 40V and capable of handling continuous currents up to 80A, this device is an optimal solution for automotive systems and other demanding environments. Its low on-resistance of just 4.1mΩ facilitates minimal power loss during operation, making it particularly beneficial for power management tasks. Fully AEC-Q101 qualified, this MOSFET meets stringent automotive standards, ensuring consistent quality for demanding applications. The product supports efficient heat dissipation, allowing for a maximum power dissipation of 76W while maintaining a wide operational temperature range.

Low on resistance of 4.1mΩ enhances energy efficiency

AEC Q101 qualification assures automotive-grade reliability

Maximum continuous drain current of 80A caters to high load applications

Pulsed drain current capability reaches 160A for transient load handling

Supports gate-source voltage of ±20V for flexible control

Avalanche rated for increased operational safety

Thermal resistance specification aids in efficient heat management

ROHM AG086FGD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG086FGD3HRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง