ROHM AG086FGD3HRB N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG086FGD3HRBTL

RS Stock No.:: 687-456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG086FGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM AG086FGD3HRB N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG086FGD3HRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 11%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB144.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB154.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
2 - 18	THB72.235	THB144.47	-
20 - 48	THB63.685	THB127.37	11%
50 - 198	THB57.27	THB114.54	20%
200 - 998	THB46.16	THB92.32	36%
1000 +	THB44.87	THB89.74	37%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG086FGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	AG086FGD3HRB
	Package Type	TO-252 (TL)
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	76W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.8mm
	Standards/Approvals	RoHS, AEC-Q101
	Height	2.3mm
	Length	10.5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series AG086FGD3HRB
	Package Type TO-252 (TL)
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 76W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.8mm
	Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101
	Height 2.3mm
	Length 10.5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AG086FGD3HRBTL

The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance applications, featuring a robust construction that ensures reliability and efficiency. With a maximum drain-source voltage of 40V and capable of handling continuous currents up to 80A, this device is an optimal solution for automotive systems and other demanding environments. Its low on-resistance of just 4.1mΩ facilitates minimal power loss during operation, making it particularly beneficial for power management tasks. Fully AEC-Q101 qualified, this MOSFET meets stringent automotive standards, ensuring consistent quality for demanding applications. The product supports efficient heat dissipation, allowing for a maximum power dissipation of 76W while maintaining a wide operational temperature range.

Low on resistance of 4.1mΩ enhances energy efficiency

AEC Q101 qualification assures automotive-grade reliability

Maximum continuous drain current of 80A caters to high load applications

Pulsed drain current capability reaches 160A for transient load handling

Supports gate-source voltage of ±20V for flexible control

Avalanche rated for increased operational safety

Thermal resistance specification aids in efficient heat management

ROHM AG086FGD3HRB N-Channel Single MOSFETs, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG086FGD3HRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง