ROHM AG087FGD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 40 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG087FGD3HRBTL

RS Stock No.:: 687-378
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG087FGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM AG087FGD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 40 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG087FGD3HRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB65.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB70.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB32.925	THB65.85
20 - 48	THB28.96	THB57.92
50 - 198	THB25.99	THB51.98
200 - 998	THB21.04	THB42.08
1000 +	THB20.545	THB41.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-378
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG087FGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Channel Type	Type N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	AG087FGD3HRB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.0mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	53W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Standards/Approvals	RoHS, AEC-Q101
	Width	6.80 mm
	Length	10.50mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Channel Type Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series AG087FGD3HRB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.0mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 53W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101
	Width 6.80 mm
	Length 10.50mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AG087FGD3HRBTL

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM Power MOSFET designed for automotive and industrial applications. This versatile component operates at a maximal drain-source voltage of 40V, enabling efficient control in power management systems. Built with advanced technology, it boasts a low on-state resistance of 7.0 mΩ, optimising power efficiency and thermal performance. AEC-Q101 qualified, this MOSFET is reliable even in rigorous automotive environments, making it a sound choice for engineers seeking durable solutions. Its robust thermal resistance and avalanched tested design ensure exceptional reliability under varied operating conditions, cementing its status as a go-to option for high-current applications.

Continuous drain current rated at ±40A, providing reliable performance in demanding scenarios

Breakdown voltage of 40V ensuring robust protection against over-voltage conditions

Low gate threshold voltage of 1.0V to 2.5V facilitating smoother operation and control

Compliant with AEC Q101 , highlighting its suitability for automotive applications

Exceptional thermal resistance of 2.80℃/W, enhancing heat dissipation and lifespan

100% avalanche tested, providing peace of mind in high-stress environments

Features a DPAK package, optimising footprint while supporting effective thermal management

Suitable for high efficiency designs in automotive and other high-current applications

ROHM AG087FGD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 40 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG087FGD3HRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง