ROHM R8019KNZ4 N-Channel Single MOSFETs, 19 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 R8019KNZ4C13

RS Stock No.:: 687-367
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: R8019KNZ4C13
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM R8019KNZ4 N-Channel Single MOSFETs, 19 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 R8019KNZ4C13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 2 ชิ้น)*

THB472.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB505.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถุง*
2 - 18	THB236.15	THB472.30
20 - 98	THB207.935	THB415.87
100 - 198	THB186.645	THB373.29
200 +	THB146.79	THB293.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-367
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: R8019KNZ4C13
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247
	Series	R8019KNZ4
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.265Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	16.24mm
	Length	40mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	5.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Channel Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247
	Series R8019KNZ4
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.265Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 16.24mm
	Length 40mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 5.22mm
	Automotive Standard No

Datasheet - R8019KNZ4C13

The ROHM N channel MOSFET designed for high-efficiency performance in electronic applications. Featuring a maximum Drain-Source voltage of 800V and a continuous drain current capability of 19A, this device effectively manages significant power loads while maintaining low on-resistance. Engineered with advanced switching capabilities, it provides rapid response times essential for efficient circuit operation. The encapsulation in a TO-247G package ensures straightforward mounting and excellent thermal performance, making it ideal for power management in everything from industrial systems to consumer electronics.

Low on resistance of just 0.265Ω, enhancing energy efficiency

Rated for continuous drain current of ±19A, allowing substantial power handling

Fast switching performance optimises the operation of dynamic circuits

Pb free lead plating ensures compliance with environmental standards

Robust avalanche ratings support reliable operation in transient conditions

Ideal for parallel usage, simplifying multiple device configurations.

ROHM R8019KNZ4 N-Channel Single MOSFETs, 19 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 R8019KNZ4C13

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง