onsemi UF3 N-Channel Single MOSFETs, 7.6 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247-3 UF3C120400K3S
- RS Stock No.:
- 648-529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UF3C120400K3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 2 ชิ้น)*
THB992.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,061.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถุง* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB496.07 | THB992.14 |
| 10 + | THB486.165 | THB972.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 648-529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UF3C120400K3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | UF3 | |
| Package Type | TO-247-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 515mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.03mm | |
| Width | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Length | 20.96mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series UF3 | ||
Package Type TO-247-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 515mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.03mm | ||
Width 15.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Length 20.96mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CH
The ON Semiconductor EliteSiC Cascode JFETs combine a normally-on SiC JFET with a Si MOSFET to create a normally-off device in a cascode circuit configuration, offering superior switching performance and reliability. Benefits include high efficiency, faster frequency, increased power density, reduced EMI, and smaller system size. These devices support standard gate drivers, simplifying the replacement of Si IGBTs and super junction devices. Ideal for switching inductive loads.
On-resistance RDS(on)
Maximum operating temperature of 175 °C
Excellent Reverse Recover
Low Gate Charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM SCT4018KWA N-Channel Single MOSFETs 1.2 kV Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4018KWATL
- ROHM SCT4036KWA N-Channel Single MOSFETs 1.2 kV Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4036KWATL
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2
- Infineon CoolMOS N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3 IPW60R120CM8XKSA1
- STMicroelectronics SCTW70N N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- ROHM N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 SCT4036KEHRC11
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW120R350M1HXKSA1