onsemi UF3 Type N-Channel Single MOSFETs, 7.6 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247-3 UF3C120400K3S
- RS Stock No.:
- 648-529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UF3C120400K3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 2 ชิ้น)*
THB992.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,061.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถุง* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB496.07 | THB992.14 |
| 10 + | THB486.165 | THB972.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 648-529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UF3C120400K3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247-3 | |
| Series | UF3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 515mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.03mm | |
| Width | 15.90 mm | |
| Length | 20.96mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247-3 | ||
Series UF3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 515mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.03mm | ||
Width 15.90 mm | ||
Length 20.96mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CH
The ON Semiconductor EliteSiC Cascode JFETs combine a normally-on SiC JFET with a Si MOSFET to create a normally-off device in a cascode circuit configuration, offering superior switching performance and reliability. Benefits include high efficiency, faster frequency, increased power density, reduced EMI, and smaller system size. These devices support standard gate drivers, simplifying the replacement of Si IGBTs and super junction devices. Ideal for switching inductive loads.
On-resistance RDS(on)
Maximum operating temperature of 175 °C
Excellent Reverse Recover
Low Gate Charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3 IPW60R120CM8XKSA1
- ROHM R8019KNZ4 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-247 R8019KNZ4C13
- ROHM R8011KNZ4 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-247 R8011KNZ4C13
- Infineon CoolMOS 8 Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IPZA60R070CM8XKSA1
- ROHM SCT4036KWA Type N-Channel Single MOSFETs 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4036KWATL
- ROHM SCT4018KWA Type N-Channel Single MOSFETs 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4018KWATL
- ROHM RJ1 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1
- Microchip VN2106 Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VN2106N3-G