onsemi UF3 N-Channel Single MOSFETs, 7.6 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247-3 UF3C120400K3S
- RS Stock No.:
- 648-529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UF3C120400K3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (2 ชิ้น, ในถุงขนาด 2)*
THB992.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,061.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถุง* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB496.07 | THB992.14 |
| 10 + | THB486.165 | THB972.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 648-529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UF3C120400K3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | UF3 | |
| Package Type | TO-247-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 515mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 20.96mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Width | 15.9mm | |
| Height | 5.03mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series UF3 | ||
Package Type TO-247-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 515mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 20.96mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Width 15.9mm | ||
Height 5.03mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CH
The ON Semiconductor EliteSiC Cascode JFETs combine a normally-on SiC JFET with a Si MOSFET to create a normally-off device in a cascode circuit configuration, offering superior switching performance and reliability. Benefits include high efficiency, faster frequency, increased power density, reduced EMI, and smaller system size. These devices support standard gate drivers, simplifying the replacement of Si IGBTs and super junction devices. Ideal for switching inductive loads.
On-resistance RDS(on)
Maximum operating temperature of 175 °C
Excellent Reverse Recover
Low Gate Charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3 IPW60R120CM8XKSA1
- ROHM R8011KNZ4 N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-247 R8011KNZ4C13
- Microchip APT N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-247 APT40N60BC7
- Microchip APT N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-247 APT100N60BC7
- ROHM R8019KNZ4 N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-247 R8019KNZ4C13
- Infineon CoolMOS 8 N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IPZA60R070CM8XKSA1
- ROHM SCT4036KWA N-Channel Single MOSFETs 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4036KWATL
- ROHM SCT4018KWA N-Channel Single MOSFETs 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4018KWATL