STMicroelectronics SiC MOSFET N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
201-4416
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT20N120H
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-2

Series

SiC MOSFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

203mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.7mm

Standards/Approvals

No

Length

15.8mm

Height

10.4mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง