Vishay SIS4406DN N-Channel Single MOSFETs, 62.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS4406DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
653-146
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIS4406DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

62.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SIS4406DN

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00475Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.7nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

33.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.3mm

Length

3.3mm

Height

410μm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low gate charge (Qg), reduced output charge (Qoss), and optimized switching performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง