Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs, 62.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS4406DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 653-146
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS4406DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB46,950.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50,250.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB15.65 | THB46,950.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-146
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS4406DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIS4406DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00475Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33.7W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.30mm | |
| Width | 3.30 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIS4406DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00475Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33.7W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.30mm | ||
Width 3.30 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low gate charge (Qg), reduced output charge (Qoss), and optimized switching performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA18DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK