Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs, 2.17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK SI2122DS-T1-GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB22,137.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23,688.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB7.379THB22,137.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-085
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2122DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI2122DS

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.160Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for compact, high-efficiency switching in low-power applications. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a SOT-23 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง