Microchip DN3135 Type N-Channel Single MOSFETs, 72 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3135N8-G

RS Stock No.:: 649-459
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DN3135N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip DN3135 Type N-Channel Single MOSFETs, 72 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3135N8-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*

THB162.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB173.755

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,985 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5 - 45	THB32.478	THB162.39
50 - 245	THB28.616	THB143.08
250 - 495	THB25.646	THB128.23
500 +	THB20.298	THB101.49

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 649-459
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DN3135N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	72mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	350V
	Package Type	SOT-89
	Series	DN3135
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	35Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-free/RoHS
	Height	1.12mm
	Width	1.3 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 72mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 350V
	Package Type SOT-89
	Series DN3135
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 35Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Standards/Approvals Lead (Pb)-free/RoHS
	Height 1.12mm
	Width 1.3 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - DN3135N8-G

The Microchip Low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip DN3135 Type N-Channel Single MOSFETs, 72 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3135N8-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง