Microchip LND150 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND150N3-G-P003
- RS Stock No.:
- 599-150
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- LND150N3-G-P003
- ผู้ผลิต:
- Microchip
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB45,324.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB48,496.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB22.662 | THB45,324.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 599-150
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- LND150N3-G-P003
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N-Channel DMOS FET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 9V | |
| Package Type | SOT-23-5 | |
| Series | LND150 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Depletion Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -25°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 3.05mm | |
| Standards/Approvals | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Width | 1.75 mm | |
| Height | 1.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N-Channel DMOS FET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 9V | ||
Package Type SOT-23-5 | ||
Series LND150 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Depletion Mode | ||
Minimum Operating Temperature -25°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 3.05mm | ||
Standards/Approvals ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Width 1.75 mm | ||
Height 1.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Microchip High voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Excellent thermal stability
Integral source drain diode
High input impedance and low CISS
ESD gate protection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip LND01 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND01K1-G
- Microchip LND250 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND250K1-G
- Microchip MIC94050 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 MIC94050YM4-TR
- Microchip DN2540 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN2530 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN3145 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN3765 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN2450 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
