Microchip DN3135 Type N-Channel MOSFET, 135 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-23 DN3135K1-G
- RS Stock No.:
- 165-6450
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DN3135K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB903.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB966.575
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 10,650 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB36.134 | THB903.35 |
| 750 - 1475 | THB35.231 | THB880.78 |
| 1500 + | THB34.688 | THB867.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6450
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DN3135K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 135mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 350V | |
| Series | DN3135 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.02mm | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 135mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 350V | ||
Series DN3135 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.02mm | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an Advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip DN3135 Type N-Channel MOSFET 350 V Depletion, 3-Pin SOT-23
- Microchip DN3135 Type N-Channel Single MOSFETs 350 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3135N8-G
- Infineon BSS139I Type N-Channel MOSFET 250 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS139IXTSA1
- Infineon BSS138I Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS138IXTSA1
- Infineon BSS127I Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS127IXTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126H6327XTSA2
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS159NH6327XTSA2
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23