Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND01K1-G

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB58,545.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB62,643.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB19.515THB58,545.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
598-897
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
LND01K1-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N-Channel DMOS FET

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

9V

Package Type

SOT-23-5

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Depletion Mode

Minimum Operating Temperature

-25°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

360mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

1.3mm

Length

3.05mm

Standards/Approvals

ISO/TS‑16949, RoHS

Width

1.75 mm

Automotive Standard

No

The Microchip Depletion-Mode MOSFET is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

Low on resistance

Low input capacitance

Fast switching speeds

High input impedance and high gain

Low power drive requirement

Ease of paralleling

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง