Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2535N5-G

RS Stock No.:: 598-063
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DN2535N5-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2535N5-G

ยอดรวมย่อย (1 กล่อง กล่องละ 300 ชิ้น)*

THB17,375.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,591.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อกล่อง*
300 +	THB57.917	THB17,375.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 598-063
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DN2535N5-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	N-Channel DMOS FET
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-252 (D-PAK-3)
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10Ω
	Channel Mode	Depletion Mode
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS, ISO/TS‑16949
	Height	2.29mm
	Width	3 mm
	Length	4.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type N-Channel DMOS FET
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-252 (D-PAK-3)
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω
	Channel Mode Depletion Mode
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS, ISO/TS‑16949
	Height 2.29mm
	Width 3 mm
	Length 4.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - DN2535N5-G

COO (Country of Origin):: CN

The Microchip Low threshold depletion mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2535N5-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง