ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
- RS Stock No.:
- 264-578
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3L060BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB203.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB20.386 | THB203.86 |
| 100 - 240 | THB19.347 | THB193.47 |
| 250 - 490 | THB17.962 | THB179.62 |
| 500 - 990 | THB16.527 | THB165.27 |
| 1000 + | THB15.883 | THB158.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-578
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3L060BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | RQ3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series RQ3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N-channel 60V 15.5A power MOSFET in an HSMT8 package features low on-resistance and a high-power design, making it ideal for switching, motor drives, and DC or DC converter applications.
Low on-resistance
High Power small mold Package HSMT8
Pb-free plating and RoHS compliant
Halogen Free
100% Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G270BJFRATCB
- ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
