ROHM HT8K 2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6TB1
- RS Stock No.:
- 264-876
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KE6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB326.57
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB349.43
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB32.657 | THB326.57 |
| 100 - 240 | THB31.025 | THB310.25 |
| 250 - 490 | THB28.748 | THB287.48 |
| 500 - 990 | THB26.472 | THB264.72 |
| 1000 + | THB25.483 | THB254.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-876
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HT8KE6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | HT8K | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 57mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series HT8K | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 57mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET features a dual N-channel configuration with a voltage rating of 100V and a current capacity of 13A. Designed in an HSOP8 package and offers low on-resistance.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package (HSOP8)
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM HT8K 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE5TB1
- ROHM HT8KE6 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6HTB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
- ROHM HT8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC6TB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1
- ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
