ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB231.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB247.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2 - 18THB115.785THB231.57
20 - 198THB104.155THB208.31
200 - 998THB96.24THB192.48
1000 - 1998THB89.315THB178.63
2000 +THB72.49THB144.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
264-884
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RJ1P07CBHTL1
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

RJ1

Package Type

TO-263AB

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73.0nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Nch 100V 120A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

Low on-resistance

High power small mold package (TO263AB)

Pb-free plating and RoHS compliant

100% UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง