ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P04BBHTL1
- RS Stock No.:
- 264-883
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1P04BBHTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB401.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB429.905
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB80.356 | THB401.78 |
| 50 - 95 | THB76.30 | THB381.50 |
| 100 - 495 | THB70.758 | THB353.79 |
| 500 - 995 | THB65.116 | THB325.58 |
| 1000 + | THB62.642 | THB313.21 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-883
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJ1P04BBHTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263AB | |
| Series | RJ1 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263AB | ||
Series RJ1 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
The ROHM Nch 100V 80A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
Low on-resistance
High power small mold package (TO263AB)
Pb-free plating and RoHS compliant
100% UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R10BBHTL1
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1
- ROHM RJ1 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1
- ROHM RJ1N04BBHT Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1N04BBHTL1
- ROHM RX3P07BBH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM RX3P07BBH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3P07BBHC16
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF8010STRLPBF