Infineon BSS N-Channel MOSFET, 100 mA, 250 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS139H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB15,867.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,977.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB5.289THB15,867.00
6000 - 6000THB5.13THB15,390.00
9000 +THB4.925THB14,775.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
250-0543
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS139H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

BSS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

30000mΩ

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon BSS Series MOSFET, 250V Maximum Drain-Source Voltage, 0.1A Maximum Continuous Drain Current - BSS139H6327XTSA1


This MOSFET is a depletion-mode N‑channel transistor designed for surface-mount applications where controlled low-current switching at high voltage is required. It operates across a broad ambient range and suits Compact SOT-23 footprints in systems that demand automotive qualification and RoHS‑compliant components.

Features and Benefits:


• 250V Maximum drain-source voltage enables high-voltage switching
• 30 000mΩ Maximum drain-source resistance reduces on-state voltage drop
• 81W Maximum power dissipation supports short-duration thermal loads
• 80 nC Typical gate charge offers predictable gate-drive requirements
• ±20V Maximum gate-source voltage permits robust gate‑drive headroom

Applications


• Suitable for high-voltage analogue biasing circuits
• Ideal for low-current control in sensor interfaces
• Used in automotive electronics requiring AEC‑Q101 compliance
• Can be used for Compact SOT-23 surface-mount designs
• Suitable for temperature-stable systems across wide ranges

What temperature range can it operate within?


It functions from -55°C up to +150°C.

How many terminals does the package provide?


The device is supplied in a three‑pin SOT-23 package.

What is the typical channel conduction mode and type?


It uses a depletion channel in an N‑type configuration.

Which standards or approvals does it meet?


It complies with RoHS and meets automotive AEC‑Q101 criteria.

What is the typical gate charge at rated gate drive?


The gate charge is typically 80 nC at the specified gate conditions.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง