Microchip Electrically Isolated N Channel and P Channel Pairs (2 Pairs) TC7920 1 N channel, P-Channel MOSFET Arrays, 1.8

N

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3300 ชิ้น)*

THB280,450.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB300,082.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3300 +THB84.985THB280,450.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
598-568
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TC7920K6-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET Arrays

Channel Type

N channel, P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

TC7920

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

12Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Electrically Isolated N Channel and P Channel Pairs (2 Pairs)

Height

1mm

Width

4.15 mm

Standards/Approvals

RoHS Certificate of Compliance

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Microchip High voltage, low-threshold N-channel and P-channel MOSFETs in a 12-lead DFN package feature integrated output drain high-voltage diodes, gate-to-source resistors, and gate-to-source Zener diode clamps, making them ideal for high-voltage pulser applications. These complementary, high-speed, high-voltage, gate-clamped MOSFET pairs use an advanced vertical DMOS structure and a proven silicon-gate manufacturing process. This combination delivers the power handling capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient characteristic of MOS devices.

Integrated gate to source resistor

Integrated gate to source Zener diode

Low threshold, low on-resistance

Low input and output capacitance

Fast switching speeds

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง