Microchip Independent N Channel and P Channel Mosfet TC2320 1 P-Channel, N channel-Channel MOSFET Arrays, 2.1 A

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3300 ชิ้น)*

THB220,205.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB235,620.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3300 +THB66.729THB220,205.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
598-027
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TC2320TG-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

P-Channel, N channel

Product Type

MOSFET Arrays

Maximum Continuous Drain Current Id

2.1A

Package Type

SOIC

Series

TC2320

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Transistor Configuration

Independent N Channel and P Channel Mosfet

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Certificate of Compliance

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

The Microchip High-voltage, low-threshold N-channel and P-channel MOSFET in an 8-lead SOIC package is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes an advanced vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination provides the power handling capabilities of bipolar transistors while maintaining high input impedance and a positive temperature coefficient, typical of MOS devices. As with all MOS structures, the device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown, ensuring reliable performance.

Low threshold

Low on resistance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Free from secondary breakdown

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง