Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3) DN2530N8-G

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB61,692.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB66,010.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB30.846THB61,692.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
598-778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DN2530N8-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

N-Channel DMOS FET

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-252 (D-PAK-3)

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Depletion Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3 mm

Length

4.4mm

Height

2.29mm

Standards/Approvals

ISO/TS‑16949, RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip Low threshold depletion-mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง