Microchip DN2530 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- RS Stock No.:
- 598-778
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DN2530N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB61,692.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB66,010.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB30.846 | THB61,692.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 598-778
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DN2530N8-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | N-Channel DMOS FET | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | DN2530 | |
| Package Type | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10Ω | |
| Channel Mode | Depletion Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Height | 2.29mm | |
| Width | 3 mm | |
| Length | 4.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type N-Channel DMOS FET | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series DN2530 | ||
Package Type TO-252 (D-PAK-3) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω | ||
Channel Mode Depletion Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Height 2.29mm | ||
Width 3 mm | ||
Length 4.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Low threshold depletion-mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip DN2450 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN3145 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN3765 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN3545 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN2535 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip DN2540 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 500 V Depletion Mode, 3-Pin TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip LND150 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND150N3-G-P003
- Microchip MIC94050 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 MIC94050YM4-TR
