Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 160 A, 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF

RS Stock No.:: 495-760
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-29-640
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLU8743PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 160 A, 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB27.88

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB278.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB297.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

65 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 15	THB55.67	THB278.35	-
20 - 35	THB54.276	THB271.38	THB27.88
40 +	THB53.442	THB267.21	THB89.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 495-760
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-29-640
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLU8743PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	160A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	135W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	2.39mm
	Height	6.22mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 160A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 135W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 2.39mm
	Height 6.22mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 160A Maximum Continuous Drain Current, 135W Maximum Power Dissipation - IRLU8743PBF

This MOSFET is an enhancement mode device designed for efficient switching applications. It utilises Advanced technology to perform well in high-frequency operations, making it suitable for power management in various industrial scenarios. With impressive specifications, it effectively manages significant current loads while maintaining low resistance, ensuring performance in various conditions.

Features & Benefits

• Low on-resistance reduces power loss during operation

• High continuous drain current of 160A supports substantial loads

• Voltage range up to 30V facilitates diverse applications

• Designed with an IPAK TO-251 package for straightforward installation

• Fully characterised avalanche capabilities enhance operational reliability

Applications

• High-frequency synchronous buck converters

• Isolated DC-DC converters in industrial environments

• Computer processor power management systems

• High current power supply

How does it perform in high-temperature environments?

The device operates within a temperature range of -55°C to +175°C, ensuring consistent performance in extreme conditions.

What is the significance of low RDS(on) for my design?

A low RDS(on) Value minimises conduction losses, promoting efficient energy use and effective thermal management, which is essential for high-current applications.

Can it be used in Pulse applications?

Yes, its design supports pulsed current handling, making it suitable for various applications requiring transient response.

What factors should I consider during installation?

It is important to ensure proper thermal management and verify compatibility with the circuit's voltage and current specifications to optimise performance.

Is there a need for additional components for gate control?

Incorporating gate drive circuits may be advantageous to enhance switching performance, especially in high-frequency applications.