Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU3607PBF
- RS Stock No.:
- 165-7585
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU3607PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB121.05
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB2,783.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,978.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 825 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 75 - 75 | THB37.115 | THB2,783.63 | - |
| 150 - 225 | THB36.308 | THB2,723.10 | THB121.05 |
| 300 + | THB35.501 | THB2,662.58 | THB484.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7585
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU3607PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.39mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type IPAK | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.39mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3607PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU120NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF
