Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 118 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Tape & Reel

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB814.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB871.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 13 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB814.46
10 - 99THB732.81
100 +THB675.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
427-760
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DM170S12TDRB
ผู้ผลิต:
Starpower
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Starpower

Channel Type

Single Switch

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

118A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

DOSEMI

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.0mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

19V

Maximum Power Dissipation Pd

355W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

3.6V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Chip sintering technology

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง