Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 64 A, 650 V, 4-Pin Tape & Reel IPQC65R040CFD7XTMA1
- RS Stock No.:
- 762-940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB306.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB327.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB306.52 |
| 10 - 49 | THB248.06 |
| 50 - 99 | THB190.09 |
| 100 + | THB152.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolSiC | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8.2mm | |
| Width | 15.1mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolSiC | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8.2mm | ||
Width 15.1mm | ||
Height 2.35mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Infineon 650 V CoolMOS CFD7A is latest generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS MOSFETs. The new CoolMOS CFD7A series provides an integrated fast body diode and can be used for PFC and resonant switching technologies.
Latest 650 V automotive qualified technology
High quality and reliability
100% avalanche tested
Lower switching losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V, 4-Pin Tape & Reel IPQC65R017CFD7XTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R075M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-LL IMTA65R075M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R075M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW65R075M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R075M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 1400 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMYR140R019M2HXLSA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZC140R019M2HXKSA1