Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 64 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM400S12TDRB
- RS Stock No.:
- 427-757
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DM400S12TDRB
- ผู้ผลิต:
- Starpower
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB453.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB484.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB453.25 |
| 10 - 99 | THB407.72 |
| 100 - 499 | THB376.05 |
| 500 - 999 | THB348.84 |
| 1000 + | THB283.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 427-757
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DM400S12TDRB
- ผู้ผลิต:
- Starpower
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Starpower | |
| Product Type | SiC Mosfet without Diode | |
| Channel Type | Single Switch | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Series | DOSEMI | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55.2mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 3.85V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 268W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Starpower | ||
Product Type SiC Mosfet without Diode | ||
Channel Type Single Switch | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Series DOSEMI | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55.2mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 3.85V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 268W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.
SiC power MOSFET
Low RDS(on)
Low inductance case avoid oscillations
ROHS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM170S12TDRB
- Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM800S12TDRB
- Epson ±50 ppm CMOS, 4-Pin Tape & Reel
- Epson ±50 ppm CMOS, 4-Pin Tape & Reel X1G004171004012
- PL-Q873-02 KEMET 5000mm 4-Pin Tape & Reel
- Ecliptek 32.768MHz MEMS MEMS Oscillator 5% 50ppm, EMK33H2H-32.768M TR
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel STH12N120K5-2AG