STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB360,774.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB386,028.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB360.774THB360,774.00
2000 - 2000THB349.951THB349,951.00
3000 +THB335.953THB335,953.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
261-5046
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STH12N120K5-2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

15.8mm

Height

4.7mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC-Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง