Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Tape & Reel
- RS Stock No.:
- 427-759
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DM800S12TDRB
- ผู้ผลิต:
- Starpower
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB286.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB307.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 31 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB286.99 |
| 10 - 99 | THB258.29 |
| 100 - 499 | THB238.00 |
| 500 - 999 | THB221.18 |
| 1000 + | THB179.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 427-759
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DM800S12TDRB
- ผู้ผลิต:
- Starpower
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Starpower | |
| Channel Type | Single Switch | |
| Product Type | SiC Mosfet without Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | DOSEMI | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 105mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 162W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 4.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Starpower | ||
Channel Type Single Switch | ||
Product Type SiC Mosfet without Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series DOSEMI | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 105mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 162W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 4.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.
SiC power MOSFET
Low RDS(on)
Low inductance case avoid oscillations
ROHS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Tape & Reel
- Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Tape & Reel STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics SiC MOSFET N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H
- Infineon IMZC120 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R053M2HXKSA1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L040N120SC1
- onsemi NVH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247 NVH4L020N120SC1