Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Tape & Reel

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB286.99

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB307.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB286.99
10 - 99THB258.29
100 - 499THB238.00
500 - 999THB221.18
1000 +THB179.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
427-759
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DM800S12TDRB
ผู้ผลิต:
Starpower
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Starpower

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Channel Type

Single Switch

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

Tape & Reel

Series

DOSEMI

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Forward Voltage Vf

4.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง