Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM800S12TDRB
- RS Stock No.:
- 427-759
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DM800S12TDRB
- ผู้ผลิต:
- Starpower
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB286.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB307.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB286.99 |
| 10 - 99 | THB258.29 |
| 100 - 499 | THB238.00 |
| 500 - 999 | THB221.18 |
| 1000 + | THB179.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 427-759
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DM800S12TDRB
- ผู้ผลิต:
- Starpower
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Starpower | |
| Channel Type | Single Switch | |
| Product Type | SiC Mosfet without Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | DOSEMI | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 105mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 162W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Starpower | ||
Channel Type Single Switch | ||
Product Type SiC Mosfet without Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series DOSEMI | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 105mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 162W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.
SiC power MOSFET
Low RDS(on)
Low inductance case avoid oscillations
ROHS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM400S12TDRB
- Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM170S12TDRB
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V, 4-Pin Tape & Reel IPQC65R040CFD7XTMA1
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel
- Epson ±50 ppm CMOS, 4-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel
- Epson ±50 ppm CMOS, 4-Pin Tape & Reel X1G004171004012