Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET, 170 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1
- RS Stock No.:
- 351-987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,926.80
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,926.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,061.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB1,926.78 | - |
| 10 - 99 | THB1,734.10 | THB1,926.80 |
| 100 + | THB1,599.12 | THB32,766.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Output Power | 555W | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | IMBG65 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.45mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 4.5mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Output Power 555W | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series IMBG65 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.45mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 4.5mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology. Leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, it offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.
Optimized switching behaviour at higher currents
Commutation robust fast body diode with low Qfr
Superior gate oxide reliability
Increased avalanche capability
Compatible with standard drivers
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R026M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R010M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R033M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R060M2H
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R050M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R007M2HXTMA1
- Infineon AIK 1 N-Channel MOSFET 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R015M2HXTMA1
