Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET, 170 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,926.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,061.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 1,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,926.78
10 - 99THB1,734.10
100 +THB1,599.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-987
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMBG65R009M1HXTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Output Power

555W

Series

IMBG65

Package Type

PG-TO263-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Length

10.2mm

Width

9.45mm

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology. Leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, it offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Optimized switching behaviour at higher currents

Commutation robust fast body diode with low Qfr

Superior gate oxide reliability

Increased avalanche capability

Compatible with standard drivers

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง