Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET, 58 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R033M2H
- RS Stock No.:
- 351-961
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R033M2H
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB494.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB528.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 999 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB494.22 |
| 10 - 99 | THB444.69 |
| 100 - 499 | THB410.40 |
| 500 - 999 | THB380.46 |
| 1000 + | THB341.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-961
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R033M2H
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Output Power | 227W | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | IMBG65 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 4.5mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 9.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Output Power 227W | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series IMBG65 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 4.5mm | ||
Length 10.2mm | ||
Width 9.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a D2PAK-7 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.
Enables BOM savings
Highest reliability
Enables top efficiency and power density
Ease of use
Full compatibility with existing vendors
Allows designs without fan or heatsink
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R010M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R026M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R060M2H
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R050M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R007M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R015M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R020M2HXTMA1