Infineon AIK 1 N-Channel MOSFET, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-189
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 9%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB391.89
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB419.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB391.89 | - |
| 10 - 99 | THB352.80 | 9% |
| 100 - 499 | THB325.09 | 17% |
| 500 - 999 | THB301.83 | 22% |
| 1000 + | THB270.17 | 31% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-189
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | AIK | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 326W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series AIK | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 326W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolSiC Hybrid Discrete with TRENCHSTOP 5 Fast Switching IGBT and CoolSiC schottky diode G5 is designed for automotive. It has best in class efficiency in hard switching and resonant topologies.
650 V breakdown voltage
CoolSiCTM Schottky diode G5
Low gate charge QG
Kelvin emitter connection for optimized switching performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R050M2HXTMA1
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R033M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R010M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R060M2H
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R015M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R020M2HXTMA1
- Infineon IMBG65 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R026M2H