Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 115 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R015M2HXTMA1
- RS Stock No.:
- 349-323
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB771.41
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB825.41
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB771.41 |
| 10 - 99 | THB694.22 |
| 100 + | THB640.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-323
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 115A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 416W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 115A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 416W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, meeting the ever growing needs of modern power systems and markets. It is ideal for applications where high efficiency and robust performance are required, providing a reliable solution for a wide range of power electronics.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R050M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R007M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R020M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R040M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R027M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R140M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R090M1HXTMA1