Infineon FF6MR N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- RS Stock No.:
- 351-916
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB28,700.41
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,709.44
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 11 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB28,700.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-916
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Series | FF6MR | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 5.35V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 12.255mm | |
| Length | 62.8mm | |
| Width | 48mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Series FF6MR | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 5.35V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 12.255mm | ||
Length 62.8mm | ||
Width 48mm | ||
Standards/Approvals IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.
Best in Class packages with 12mm height
Leading edge WBG material
Very low module stray inductance
Press FIT pins
Integrated NTC temperature sensor
Wide gate source voltage range
Low switching & conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon F3L6MR N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon Dual FF6MR 1 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement AG-62MM
- Infineon Dual FF6MR 1 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement AG-62MM FF6MR12KM1BOSA1
- Infineon IAUZ N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon IAUZ N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
- Infineon Isolated F4 N-Channel MOSFET 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1
- Infineon 54 A 1200 V AG-EASY2B-1, Clamp
