Infineon FF4000 Type N-Channel MOSFET, 500 A, 3300 V Enhancement AG-XHP2K33 FF4000UXTR33T2M1BPSA1
- RS Stock No.:
- 351-986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF4000UXTR33T2M1BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB188,623.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB201,826.79
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB188,623.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF4000UXTR33T2M1BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 3300V | |
| Series | FF4000 | |
| Package Type | AG-XHP2K33 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 5.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 140mm | |
| Width | 100 mm | |
| Height | 40mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 3300V | ||
Series FF4000 | ||
Package Type AG-XHP2K33 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 5.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 140mm | ||
Width 100 mm | ||
Height 40mm | ||
Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET half-bridge module designed for high-power applications. It features 3.3 kV voltage rating and .XT interconnection technology, ensuring enhanced efficiency and extended lifetime. This module is ideal for decarbonizing transportation, traction drives, and high-power converters.
Energy efficiency
High power density
Enhanced lifetime
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FF6MR Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon Dual FF6MR 1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement AG-62MM
- Infineon Dual FF6MR 1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement AG-62MM FF6MR12KM1BOSA1
- Microchip MSC25SMA330B4 Type N-Channel MOSFET 3300 V Enhancement TO-247 MSC025SMA330B4
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Microchip MSC400SMA330 Type N-Channel MOSFET 4-Pin TO-247 MSC400SMA330B4
- Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130
