Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R020M1TXKSA1
- RS Stock No.:
- 349-373
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMZH120R020M1TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,380.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,476.62
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,380.02 |
| 10 - 99 | THB1,241.97 |
| 100 + | THB1,145.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-373
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMZH120R020M1TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 25mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 429W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 25mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 429W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon SiC MOSFET features best in class switching performance, robustness against parasitic turn ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on board charger and DC to DC applications.
Very low switching losses
Best in class switching energy
Lowest device capacitances
Sense pin for optimized switching performance
Suitable for HV creepage requirements
Thinner leads for reduced risk of solder bridges
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R120M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R060M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R080M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R030M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R040M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R010M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R160M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U02 IMZA120R030M1HXKSA1