Infineon CoolSiCTM Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 1200 V Enhancement EasyDUAL FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB18,094.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19,360.77

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB18,094.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-253
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyDUAL

Series

CoolSiCTM Trench MOSFET

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET half bridge module is a 1200 V module featuring a low 4 mΩ gate resistance G1 and is equipped with an integrated NTC temperature sensor for precise thermal monitoring. It also includes pre applied thermal interface material for enhanced heat dissipation and utilizes PressFIT Contact Technology, ensuring reliable and efficient electrical connections. This module is designed for high performance applications where efficient power conversion and thermal management are critical.

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

PressFIT contact technology

Integrated NTC temperature sensor

Pre applied thermal interface material

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง