onsemi NVH Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V N, 3-Pin TO-247-4L NVHL023N065M3S
- RS Stock No.:
- 327-810
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB525.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB562.27
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB525.49 |
| 10 - 99 | THB473.04 |
| 100 + | THB435.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 327-810
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | NVH | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 263W | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series NVH | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 263W | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, is a 650 V, 23 mΩ device in the M3S TO-247-3L package. It is designed for high-performance power applications, offering low on-resistance and superior switching characteristics, making it ideal for use in demanding power electronics applications, including industrial and automotive systems.
Devices are Pb Free and are RoHS Compliant
Qualified for Automotive According to AEC Q101
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L032N065M3S
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NVH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247