Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML5103TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB61.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB65.465

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 745THB12.236THB61.18
750 - 1495THB12.022THB60.11
1500 +THB11.802THB59.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
302-038
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLML5103TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

760mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

540mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Distrelec Product Id

304-36-996

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 760mA Maximum Continuous Drain Current, 540 mW Maximum Power Dissipation - IRLML5103TRPBF


This MOSFET is a versatile electronic component suited for efficient power switching applications. It is designed for use in automation, electronics, and mechanical industries, offering a compact solution for high-performance tasks. Its enhancement channel mode improves operational efficiency, making it a popular choice in applications that require dependable MOSFET functionality.

Features & Benefits


• Compact SOT-23 package appropriate for space-constrained designs

• High continuous drain current of 760 mA for enhanced durability

• Maximum drain-source voltage of 30 V for a range of applications

• Low Rds(on) of 600mΩ minimises power loss and boosts efficiency

• Typical gate charge of 3.4nC lowers switching losses

Applications


• Utilised in power management and conversion solutions

• Suitable for industrial automation setups

• Ideal for switch-mode power supply designs

• Supports battery management systems in electronic devices

• Employed in motor control that require efficient power switching

How does the MOSFET perform in high-temperature environments?


It functions effectively at temperatures up to +150°C, ensuring consistent performance under challenging conditions.

What is the significance of the low Rds(on) value?


A low Rds(on) of 600mΩ reduces energy loss during operation, enhancing overall system efficiency.

Can this MOSFET be used in compact designs?


Yes, the SOT-23 package enables integration into compact applications without compromising performance.

What is the maximum gate-source voltage this device can handle?


It can tolerate a maximum gate-source voltage of ±20V, ensuring safe operation within specified limits.

How should the installation be approached for optimal performance?


Proper handling and layout on the PCB are crucial to ensure adequate thermal management and connectivity for optimal results.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง