Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD020N10NM5CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
284-934
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQD020N10NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

273A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PG-TTFN-9

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor represents a significant advancement in MOSFET technology tailored for demanding industrial applications. This robust transistor is designed to deliver exceptional performance with superior thermal management, making it an Ideal choice for systems requiring efficient energy conversion and management. With a voltage rating of 100V and an impressive low on resistance, this product provides enhanced power handling capabilities while maintaining low energy losses. Its reliable performance is also backed by extensive validation, ensuring assured functionality in various operational conditions.

N channel design for efficient switching

Low on resistance minimizes power loss

Exceptional thermal resistance extends lifespan

100% avalanche tested for reliability

RoHS compliant for eco friendliness

Halogen free material for environmental standards

Reliable in high temperature environments

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง