Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 610 A, 40 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD005N04NM6CGATMA1

RS Stock No.:: 284-926
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD005N04NM6CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 610 A, 40 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD005N04NM6CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB296.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB317.672

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB148.445	THB296.89
20 - 198	THB133.60	THB267.20
200 - 998	THB123.205	THB246.41
1000 - 1998	THB114.30	THB228.60
2000 +	THB102.425	THB204.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-926
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD005N04NM6CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	610A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS
	Package Type	PG-TTFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.47mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	129nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 610A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS
	Package Type PG-TTFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.47mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 129nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC
	Automotive Standard No

Datasheet - IQD005N04NM6CGATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 6 Power Transistor combines exceptional performance with robust reliability, making it a TOP choice for demanding applications. This N channel MOSFET is designed for industrial environments, providing a maximum drain source voltage of 40V and an impressive continuous drain current rating of up to 610A. This semiconductor device excels in thermal management, making it Ideal for high temperature and high power settings, facilitating a longer lifespan and consistent performance under load. With a commitment to eco friendliness, it is RoHS compliant and halogen free, aligning with modern environmental standards while offering superior engineering quality.

Outstanding thermal resistance for reliability

Robust performance in high stress environments

100% avalanche tested for safety

Exceptional efficiency for power management

Complies with environmental regulations

Minimal switching losses for high frequency operations

Compact design reduces PCB space

Easy integration into industrial systems

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 610 A, 40 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD005N04NM6CGATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง