Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD020N10NM5CGATMA1

RS Stock No.:: 284-935
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD020N10NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD020N10NM5CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB334.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB357.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB167.00	THB334.00
20 - 198	THB150.42	THB300.84
200 - 998	THB138.545	THB277.09
1000 - 1998	THB128.65	THB257.30
2000 +	THB115.29	THB230.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-935
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD020N10NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PG-TTFN-9
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.05mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PG-TTFN-9
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.05mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - IQD020N10NM5CGATMA1

COO (Country of Origin):: AT

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor represents a significant advancement in MOSFET technology tailored for demanding industrial applications. This robust transistor is designed to deliver exceptional performance with superior thermal management, making it an Ideal choice for systems requiring efficient energy conversion and management. With a voltage rating of 100V and an impressive low on resistance, this product provides enhanced power handling capabilities while maintaining low energy losses. Its reliable performance is also backed by extensive validation, ensuring assured functionality in various operational conditions.

N channel design for efficient switching

Low on resistance minimizes power loss

Exceptional thermal resistance extends lifespan

100% avalanche tested for reliability

RoHS compliant for eco friendliness

Halogen free material for environmental standards

Reliable in high temperature environments

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD020N10NM5CGATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง